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MRAM 晶圆级测试 · 自主可控

填补国内高端晶圆级
磁存储测试设备空白

极瞬芯科技专注于解决磁性存储器(MRAM)测试关键难题,即将完成国内首个 12 英寸 MRAM 晶圆全自动化、高通量、高速测试平台的突破。

从研发验证到量产监控

覆盖 MRAM 全生命周期
的测试基础设施

让磁性存储器的性能边界被精准度量,让每一颗存储单元都经得起未来考验。并行多 site 架构,吞吐量提升 300%+。

12"
全自动化晶圆测试
300%+
测试吞吐量提升
<0.5%
三维磁场均匀性
100%
核心设备自主可控
Core Products

核心产品线

面向 STT-MRAM、SOT-MRAM、VCMA-MRAM 等不同技术路线,提供可配置、全栈自主的晶圆级测试系统。

P1

12 英寸全自动化高通量测试平台

国内首套自主知识产权的 12 英寸 MRAM 晶圆级高速测试系统,集成高精度磁场控制、皮秒级脉冲测试与 AI 辅助数据分析,实现从手动操作到无人值守的跨越。

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P2

多态磁存储特性表征系统

针对 STT / SOT / VCMA-MRAM 提供可配置测试架构,支持 Toggle 写入、热稳定性、读写 disturb、耐久性等全套磁电耦合特性提取,助力工艺迭代。

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P3

晶圆级可靠性加速评估方案

基于 Arrhenius 模型的创新加速测试算法,将传统需数月的可靠性验证压缩至数周,结合高灵敏磁畴成像与电学失效分析,提前识别潜在失效模式。

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MRAM 光刻工艺示意图
ABOUT JISHUNXIN

专注解决 MRAM 测试关键难题的创新企业

极瞬芯科技有限公司是一家专注于解决磁性存储器(MRAM)测试关键难题的创新企业。我们即将完成国内首个 12 英寸 MRAM 晶圆全自动化高通量高速测试平台的突破,旨在填补国内高端晶圆级磁存储测试设备的空白。

  • 全栈自主可控,供应链安全,摆脱核心设备 100% 进口依赖
  • 并行多 site 架构,测试吞吐量提升 300% 以上
  • 内置三维 Helmholtz 线圈,磁场均匀性 <0.5%
  • 实时良率预测与工艺关联分析引擎,提升数据价值

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Why Jishunxin

对比行业痛点的极瞬芯方案

用工程化能力回应 MRAM 量产与研发中的真实挑战。

维度行业痛点极瞬芯方案
测试效率单 die 测试时间长,产能瓶颈突出并行多 site 架构,吞吐量提升 300%+
磁场精度外置磁场均匀性差,边缘效应显著内置三维 Helmholtz 线圈,场均匀性 <0.5%
数据价值海量测试数据利用率低实时良率预测与工艺关联分析引擎
设备依赖核心设备 100% 依赖进口全栈自主可控,供应链安全
Case Studies

应用案例

从头部代工厂工艺验证到车规级零缺陷交付,极瞬芯方案已在真实产线与科研场景中落地。

STT-MRAM 工艺验证
STT-MRAM

助力头部代工厂完成 STT-MRAM 工艺验证

部署 12 英寸全自动化测试平台,单晶圆测试时间从 48 小时缩短至 6 小时,关键工艺窗口识别周期压缩 60%。

发布:2025-04-22 · 客户:国内领先逻辑代工厂
SOT-MRAM 高速写入
SOT-MRAM

支持科研团队突破 SOT-MRAM 高速写入技术

定制超高速脉冲测试模块,成功捕获写入错误率与脉宽的 S 型曲线,写入能耗降低 40%,成果发表于 Nature Electronics。

发布:2026-02-04 · 客户:中科院某研究所
车规级 MRAM 零缺陷交付
AEC-Q100

保障车规级 MRAM 的零缺陷交付

量产级测试方案集成高温动态老化与 SPC 过程控制,测试覆盖率提升至 99.97%,通过 Tier 1 车厂审核并获得量产订单。

发布:2025-09-17 · 客户:汽车电子存储设计企业

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与极瞬芯一起,度量 MRAM 的性能边界

无论您处于研发验证、工艺迭代还是量产监控阶段,我们都可联合开发专用测试方案。

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