研
研发验证
支持器件关键参数分布快速获取，加速工艺窗口识别与器件优化。
从研发验证到量产监控，我们提供覆盖 MRAM 全生命周期的测试基础设施，让磁性存储器的性能边界被精准度量，让每一颗存储单元都经得起未来考验。
从研发验证到量产监控，覆盖 MRAM 全生命周期的测试基础设施。
支持器件关键参数分布快速获取，加速工艺窗口识别与器件优化。
并行多 site 架构支撑高产能量产测试，实时良率预测与 SPC 过程控制。
一套基础设施贯通研发—中试—量产，数据可追溯、能力可演进。
国内首套自主知识产权的 12 英寸 MRAM 晶圆级高速测试系统，实现从手动操作到无人值守的跨越。集成高精度磁场控制、皮秒级脉冲测试与 AI 辅助数据分析，单台设备日测试晶圆能力达业界领先水平，为量产爬坡提供核心支撑。
针对 STT-MRAM、SOT-MRAM、VCMA-MRAM 等不同技术路线，提供可配置的测试架构。支持 Toggle 写入、热稳定性、读写 disturb、耐久性等全套磁电耦合特性提取，助力工艺迭代与器件优化。
基于 Arrhenius 模型的创新加速测试算法，将传统需要数月的可靠性验证压缩至数周。结合高灵敏磁畴成像与电学失效分析，提前识别潜在失效模式，降低量产风险。
| 维度 | 行业痛点 | 极瞬芯方案 |
|---|---|---|
| 测试效率 | 单 die 测试时间长，产能瓶颈突出 | 并行多 site 架构，吞吐量提升 300%+ |
| 磁场精度 | 外置磁场均匀性差，边缘效应显著 | 内置三维 Helmholtz 线圈，场均匀性 <0.5% |
| 数据价值 | 海量测试数据利用率低 | 实时良率预测与工艺关联分析引擎 |
| 设备依赖 | 核心设备 100% 依赖进口 | 全栈自主可控，供应链安全 |
针对客户特定器件结构与应用场景，联合开发专用测试算法与夹具，缩短产品导入周期。
为早期创业团队与科研院所提供晶圆级 MRAM 表征服务，降低研发投入门槛。
开放核心 IP 授权，支持设备厂商与 IDM 共建本土 MRAM 测试生态。