支持科研团队突破 SOT-MRAM 高速写入技术

客户背景

中科院某研究所，承担国家存算一体重大项目，需验证三端 SOT-MRAM 器件的亚纳秒写入特性。

挑战

• 需要 100ps 级窄脉冲的精准施加与高速采样
• 器件良率低，需高灵敏度误码检测能力
• 多维参数空间（电流 / 磁场 / 脉宽）的系统扫描

极渺方案

定制开发超高速脉冲测试模块，集成误码率实时统计与三维参数可视化分析功能。

成果

• 成功捕获写入错误率与脉宽的 S 型曲线
• 确定最优写入条件，写入能耗降低 40%
• 相关成果发表于 Nature Electronics